光伏行業相關名詞，你了解多少？
物體由于吸收光子而產生電動勢的現象，是當物體受光照時，物體內部的電荷分布狀態發生變化而產生電動勢和電流的一種效應，全稱光生伏特效應利用光生伏特效應，將太陽光能直接轉化為電能的發電技術瓦（W）、千瓦（KW）、兆瓦（MW）、吉瓦（GW）、太瓦（TW） 電的功率單位，為衡量光伏電站發電能力的單位。1TW=1,000GW=1,000,000MW=1,000,000,000kW=1,000,000,000,000W
千瓦時（KWh） 太陽能電池經過串聯后進行封裝保護可形成大面積的太陽電池組件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發電裝置。這種裝置的發電功率就是裝機容量平均光電轉換效率，是衡量太陽能電池將光能轉換為電能能力的指標Levelized Cost of Energy，縮寫為 LCOE，簡稱度電成本，是對項目生命周期內的成本和發電量先進行平準化，再計算得到的發電成本，即生命周期內的成本現值/生命周期內發電量現值
平價上網包括發電側平價與用戶側平價兩層含義：發電側平價是指光伏發電即使按照傳統能源的上網電價收購（無補貼）也能實現合理利潤；用戶側平價是指光伏發電成本低于售電價格，根據用戶類型及其購電成本的不同，又可分為工商業、居民用戶側平價
標桿上網電價、上網電價國家發改委制定電網公司對集中式光伏電站并網發電電量的收購價格（含稅）指發電機組在1年內平均的滿負荷運行時間；在每年的8760h中，發電設備利用小時對來自某一個（或幾個）國家或地區的同一種產品同時進行反傾銷和反補貼調查
光伏發電領跑者計劃是指中國國家能源局 2015 年起實施的光伏扶持計劃，旨在促進光伏發電技術進步、產業升級和成本下降。領跑者先進技術產品要求達到規定的技術先進性指標等要求純度大于 99.9999999%的高純度單質金屬硅
單質硅的一種形態，由具有一定尺寸的硅晶粒組成的多晶體，各個硅晶粒的晶體取向不同，多晶硅是光伏電池與半導體設備的主要原材料。根據純度，多晶硅可分為太陽能級（光伏級）多晶硅與電子級（半導體級）多晶硅用于單晶硅拉制并生產單晶硅片的多晶硅產品多晶硅片用料 指 指用于多晶鑄錠并生產多晶硅片的多晶硅產品由硅礦石和碳質還原劑在礦熱爐內冶煉成的產品，主要成分為硅元素，是多晶硅的主要原材料由工業硅粉與氯化氫合成而得的硅化合物，能在 1100℃左右被氫還原為單質硅，是本公司生產多晶硅的中間品，化學式為 SiHCl3，英文名稱 Trichlorosilane三氯氫硅合成及三氯氫硅還原等多晶硅生產過程中的副產物，可以通過冷氫化工藝制備三氯氫硅，化學式為 SiCl4，英文名稱 SiliconTetrachloride
三氯氫硅合成、冷氫化、三氯氫硅還原等多晶硅生產過程中的副產物，可以與四氯化硅在催化劑條件下反歧化生成三氯化硅，化學式為SiH2Cl2，英文名稱 DichIorosilane西門子法為生產多晶硅的原有工藝，是以氫氣還原高純度三氯氫硅，在加熱到 1,100℃左右的硅芯上沉積多晶硅的生產工藝目前國內外最主流及最成熟的多晶硅生產工藝，又稱“閉環西門子法”。其主要是在西門子法基礎上增加了尾氣回收和四氯化硅氫化工藝，實現了生產過程的閉路循環，避免副產品直接排放污染環境，并實現原料的循環利用，有效降低了生產成本多晶硅生產工藝之一。硅烷流化床法是以四氯化硅、氫氣、氯化氫和工業硅為原料在流化床內（沸騰床）高溫高壓下生成三氯氫硅，將三氯氫硅再進一步歧化加氫反應生成二氯二氫硅，繼而生成硅烷氣。制得的硅烷氣通入加有小顆粒硅粉的流化床反應爐內進行連續熱分解反應，生成粒狀多晶硅產品
以碳纖維為增強體，以碳或碳化硅等為基體，以化學氣相沉積或液相浸漬等工藝形成的復合材料，主要包括碳/碳復合材料產品（碳纖維增強基體碳）、碳/陶復合材料產品（碳纖維增強碳化硅）等含碳量在 90%以上的高強度高模量纖維，用腈綸、瀝青或粘膠纖維等原料，經高溫氧化碳化而成以碳纖維為原材料，通過碳纖維成網、織布、布網復合成型等技術所形成的坯體用粉末冶金工藝制得的多孔、半致密或全致密材料（包括制品）指利用氣態物質在高溫下通過化學反應生產固態物質的一種工藝方法，是制備碳基復合材料的一種方法直拉法又稱為切克勞斯基法，它是 1918 年由切克勞斯基（Czochralski）建立起來的一種晶體生長方法，簡稱 CZ 法。CZ 法的特點是在一個直筒型的熱系統中，用石墨電阻加熱，將裝在高純度石英坩堝中的多晶硅料熔化，然后將籽晶插入熔體表面進行熔接，同時轉動籽晶，再反轉坩堝，籽晶緩慢向上提升，經過引晶、放肩、轉肩、等徑生長、收尾等過程，生長出單晶棒垂直懸浮區熔法，將一段棒狀材料（如半導體材料、金屬等）垂直固定，用高頻感應等方法加熱使其一段區域熔化，熔體靠表面張力支撐懸浮。豎直移動棒狀材料或加熱器，使熔區移動，在熔區移動過的區域材料冷卻而生成為單晶體。通過區熔法，可以獲取高純度的單晶在真空狀態和惰性氣體保護下，通過石墨電阻加熱器將多晶硅原料加熱熔化，然后用直拉法生長單晶的設備，也稱"單晶生長爐"或"單晶爐"一種高純單晶硅棒生長設備，用于懸浮區熔提純與單晶生長，也稱"硅單晶區熔爐"、"區熔硅單晶爐"多晶硅原料熔化后，用直拉法或區熔法從熔體中生長出的棒狀單晶硅將半導體硅單晶棒進行外圓、槽口磨削，最終加工出滿足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的半導體硅圓棒的全自動一體加工設備將半導體硅單晶棒進行頭尾截斷、體部截斷、截取樣片，最終截斷出滿足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的半導體硅段料的全自動一體加工設備使用拋光液通過化學反應和機械作用對硅片表面進行拋光的設備將硅單晶棒切除四周邊皮，再將弧面和平面進行磨削，最終加工出滿足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的方棒的全自動切磨一體復合加工設備。晶棒單線截斷機 采用金剛線切割的方式對硅單晶棒進行截斷加工，可用于切頭尾，切樣片以及等長批量截斷切割的加工設備在真空狀態和惰性氣體保護下，通過石墨電阻加熱器將多晶硅原料加熱熔化，然后在受嚴格控制的溫度場中用定向凝固法生長多晶硅錠的設備將多晶硅塊四面粗精磨削處理，最終加工出滿足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的方棒的全自動倒角磨面一體復合加工設備將多晶硅塊的平面進行磨削，對硅塊的 4 個棱角進行倒角的復合加工設備采用金剛線切割技術進行多晶硅塊去頭尾，同時實現 40 塊多晶硅塊的全自動加工設備。將金剛石采用粘接和電鍍的方式固定在直拉鋼線上對硅棒進行高速往返切削得到硅片的一種切割技術整塊硅晶體中的硅原子按周期性排列的單晶硅，是用高純度多晶硅為原料，主要通過直拉法和區熔法取得
P 型單晶硅在單晶硅生產過程中摻入三價元素（如硼），使之取代硅原子，形成P 型單晶硅在單晶硅生產過程中摻入五價元素（如磷），使之取代硅原子，形成N 型單晶硅
拋光片
電池、電池片、太陽能電池、太陽能電池片、光伏電池、光伏電池片利用"光生伏特效應"原理將太陽能轉化為電能的半導體器件制作太陽能電池主要是以半導體材料為基礎，其工作原理是利用光電材料吸收光能后發生光電轉換反應，根據所用材料的不同，分為單晶太陽能電池和多晶太陽能電池。建立在高質量單晶硅材料和加工處理工藝基礎上，一般采用表面織構化、發射區鈍化、分區摻雜等技術開發的一種太陽能電池采用太陽能級多晶硅材料，制造工藝與單晶硅太陽電池類似，目前的光電轉換效率和生產成本都略低于單晶太陽能電池太陽能電池的最佳輸出功率與投射到其表面上的太陽輻射功率之比Selective Emitter 技術，選擇性發射極技術，一種提高電池效率的技術。通過在電極接觸區域進行高濃度摻雜，光吸收區域進行低濃度摻雜，從而影響電池的導電特性。電池分重擴區和輕擴區，重擴區用于和金屬電極接觸，輕擴區通過提升方塊電阻降低表面復合速率。在電池背面制備一層超薄的可隧穿的氧化層和一層高摻雜的多晶硅薄層，二者共同形成了鈍化接觸結構，為硅片的背面提供了良好的表面鈍化，從而實現背面整面鈍化，且無需開孔接觸，可大幅提升 N 型電池轉換效率，是 N 型電池重要發展方向Metal Wrap Through，金屬繞通背接觸電池。一種應用于晶體硅的高效太陽能電池技術Physical Vapor Deposition 物理氣相沉積
CVDChemical Vapor Deposition 化學汽相沉積Low Pressure Chemical Vapor Deposition 低壓化學汽相沉積制作太陽能電池工藝段中的一種方法，例如使漿料（銀漿、鋁漿等）通過刮刀壓力透過已制好柵線圖形的網膜漏印在已擴散過的硅片上形成上、下電極，加熱后使漿料中有機溶劑揮發，形成太陽能電池電極。用于檢測太陽能電池組件的缺陷、隱裂、碎片、虛焊、斷柵以及不同轉換效率單片電池異?，F象。電池片 PL 測試是通過光致發光無損檢測方式，相對于 EL 的差別在于非接觸檢測避免對電池片造成損傷，可以更簡單地自動化集成，無需對電池片進行復雜定位，占地面積更小等離子體增強化學氣相沉積法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition），該法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，等離子體化學活性很強，在基片上沉積出所期望的薄膜，從而形成介質層、含 P型或 N 型摻雜物的薄層，進而形成 PN 結或形成降低表面反射率和提高硅片表面鈍化效果的薄層，提升電池的光電轉換率。PECVD 按實現方式不同，分為管式 PECVD、板式（線式流程）PECVD 和集群式 PECVD用于鍍膜工藝段上下料環節的自動化設備，主要作用是將花籃中的硅片自動轉載至石墨舟中，傳送至管式 PECVD 生產工藝設備中，完成后將石墨舟中的硅片自動裝卸至花籃并輸出。
板式 PECVD 上下料機用于鍍膜工藝段上下料環節的自動化設備，主要作用是將花籃中的硅片自動轉載至石墨框中，傳送至板式 PECVD 生產工藝設備中，完成后將石墨框中的硅片自動裝卸至花籃并輸出。
擴散自動化上下料機用于擴散工藝段上下料環節的自動化設備，主要作用是將花籃中的硅片自動轉載至石英舟，校準定位后自動送至擴散爐內進行制結，制結完成后將石英舟中的硅片自動轉載至花籃并輸出。
刻蝕上下料機用于刻蝕工藝段上下料環節的自動化設備，主要作用是將花籃中的硅片自動排放到上料端，在下料端再把制程后的硅片自動轉載至花籃并輸出。裝盒機 用于槽式制絨工藝裝花籃，主要作用是將堆疊的硅片自動轉載至花籃并輸出。
BSF一種太陽能電池技術，即鋁背場電池（Aluminium Back Surface Field），為改善太陽能電池的效率，在 p-n 結制備完成后，在硅片的背光面沉積一層鋁膜，制備 P+層，稱為鋁背場電池。
PERC 電池PassivatedEmitterandRearContact，鈍化發射極及背接觸電池，一種高效晶硅太陽能電池結構，針對全鋁背場太陽能電池在背表面的載流子復合較高的缺點，使用 AL2O3 膜或 SiNX 在背表面構成鈍化層，并激光開膜使得鋁背場與硅襯底實現有效的接觸。
PERTPassivated Emitter and Rear Totally-Diffused Cell，鈍化發射極背面全擴散電池，一種高效晶硅太陽能電池結構。這種電池系在 PERC太陽能電池基礎上，為了能夠進一步降低 PERC 電池背面金半接觸電阻，對背面接觸區域進行背面全擴散。Tunnel Oxide Passivated Contact，遂穿氧化鈍化電池技術，是在電池片的背面上覆蓋一層厚度在 2nm 以下的超薄氧化硅層，再覆蓋一層摻雜的多晶硅或非晶硅層，然后經過高溫退火形成高摻雜多晶硅(n+)背接觸的一項光伏電池技術。該技術可改善電池表面鈍化又可促進多數載流子傳輸，進而提升電池的開路電壓和填充因子，進一步提升光電轉換效率。
HJT 電池技術Hetero-junctionwithIntrinsicThin-layer，本征薄膜異質結電池，一種高效晶硅太陽能電池結構，利用晶體硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太陽能電池，即在 P 型氫化非晶硅和 N 型氫化非晶硅與 N 型硅襯底之間增加一層非摻雜（本征）氫化非晶硅薄膜。HJT 電池具有工藝溫度低、鈍化效果好、開路電壓高、雙面發電等優點。Interdigitated Back Contact，全背電極接觸晶硅光伏電池，是將太陽能電池的正負兩極金屬接觸均移到電池片背面的技術
HBC交叉指式背接觸異質結太陽電池，正面無電極遮擋，采用 a-Si∶H 作為雙面鈍化層，同時具備 IBC 電池和 SHJ（異質結）電池的優勢，能夠取得更高的開路電壓和更高的短路電流，從而達到更高的光電轉換效率。采用硅片 M6（硅片長度 166mm，最大對角線長度 223mm）生產的電池，比常規M2（硅片長度156.75mm，最大對角線長度211mm）的面積大 12.21%，因此也稱 166 大尺寸電池、166 大面積電池。采用硅片 M10（硅片長度 182mm）生產的電池
210mm電池采用硅片 M12（硅片長度 210mm，最大對角線長度 295mm）生產的電池，比常規M2（硅片長度156.75mm，最大對角線長度211mm）的面積大 80.5%，因此也稱 210mm 大尺寸電或 210mm 大面積電池。太陽能電池受到光照時的最大輸出功率與照射到電池上的入射光功率的比值，是衡量電池質量和技術水平的重要參數，轉換效率越高，電池片的單片輸出功率越高，單片功率越高的電池可以封裝形成功率越高的光伏組件。通過刻蝕技術，一方面在常規硅片表面制絨的基礎上形成納米級的小絨面，從而加大陷光的效果，降低反射率，增加對光的吸收；另一方面，通過二次刻蝕來降低表面復合，從而將常規電池的轉換效率絕對值提高通過濺射法、PECVD 法、LPCVD 法等方法，在玻璃、金屬或其他材料上制成特殊薄膜，經過不同的電池工藝過程制得單結和疊層太陽能電池的一種太陽能電池。
太陽能組件，由若干個太陽能發電單元通過串并聯的方式組成。其功能是將功率較小的太陽能發電單元放大成為可以單獨使用的光電器件，通常功率較大，可以單獨使用為各類蓄電池充電，也可以多片串聯或并聯使用，作為離網或并網太陽能供電系統的發電單元將相鄰太陽能電池部分區域重疊、互聯以消除片間距的一種組件技術疊瓦組件系電池片切分后相互之間通過導電膠粘接交疊密排設計的先進技術組件，其獨特的電池片連接技術取代了傳統技術中的焊帶，從而增加電池片有效發電面積對入射到正面以及背面的光線都能加以利用，產生光能的組件稱為雙面組件，通常雙面組件的背面功率是正面功率的 60%以上由蓋板為≤2.0mm 的光伏減反玻璃，背板為≤2.0mm 的超薄鍍膜玻璃，中間復合太陽能電池片組成復合層，電池片之間由導線串、并聯匯集引線端的整體構件，該組件不需要加裝鋁邊框固定。電池采用多主柵設計的組件，電池主柵數量多于 5 根，比如 6 主柵，9 主柵，12 主柵均可稱為多主柵將已經切半的相鄰太陽能電池部分區域重疊、互聯以消除片間距的一種組件技術電池主柵數量多于 5 根，比如 6 主柵，9 主柵，12 主柵均可稱為多主柵
拼片一種新的組件技術，采用柔性焊帶減少電池的片間距
長期光致衰減（LID）將單晶硅、多晶硅太陽能電池片使用激光切割技術按照柵線設計要求進行劃片，通過印刷方式進行導電膠涂覆 ，再經過裂片機構將電池片分裂，最后采用疊瓦方式將分裂的電池條串聯焊接的全自動化設備疊瓦焊接機將整片電池片切成合理小片后，每小片之間疊加排布，用柔性導電膠無焊帶互連，大大減小組件線損，減小組件熱斑影響，更充分利用組件面積，大幅提高組件輸出功率太陽能光伏發電系統中的關鍵設備之一，其作用是將太陽能電池發出的直流電轉化為符合電網電能質量要求的交流電組串式逆變器是對幾組（一般為 1-4 組）光伏組串進行單獨的最大功率峰值跟蹤，再經過逆變以后并入交流電網，一臺組串式逆變器可以有多個最大功率峰值跟蹤模塊，功率相對較小，主要應用于分布式發電系統，在集中式光伏發電系統亦應用由乙烯-醋酸乙烯酯共聚物通過擠出流涎、壓延等熔融加工方法獲得的膠膜
白色 EVA用于電池片背面封裝的白色 EVA 膠膜，增加反射率
POE、POE 膠膜由聚烯烴彈性體通過擠出流涎、壓延等熔融加工方法獲得的膠膜，廣泛用于光伏組件的封裝采用氟皮膜技術生產的復合型光伏電池背板，中間為 PET 基膜，外側通過膠粘劑與 PVDF 薄膜復合在一起，內側直接與氟皮膜相粘一種位于太陽能電池組件背面的光伏封裝材料，在戶外環境下保護太陽能電池組件抵抗光濕熱等環境影響因素對 EVA 膠膜、電池片等材料的侵蝕，起耐候絕緣保護作用。由于其位于光伏組件背面的最外層，直接與外部環境大面積接觸，需具備優異的耐高低溫、耐紫外輻照、耐環境老化和水汽阻隔、電氣絕緣等性能，以滿足太陽能電池組件25年的使用壽命晶體硅太陽能電池電極用銀漿料，是制備太陽能電池金屬電極的關鍵材料光伏發電系統中用來安裝、支撐、固定光伏組件的特殊功能支架，包括跟蹤支架和固定支架通過機械、電氣、電子電路及程序的聯合作用，實時調整太陽能組件平面相對入射太陽光的空間角度以增加太陽光投射到太陽能組件上的輻照量而提高發電量的設備
BIPVBuilding Integrated Photostatic，即光伏建筑一體化，與建筑物同時設計、同時施工、同時安裝并與建筑物形成完美結合的光伏發電系統，既發揮建筑材料的功能（如遮風、擋雨、隔熱等），又發揮發電的功能，使建筑物成為綠色建筑
逆跟蹤支架運行方向與太陽運行方向逆向的一種跟蹤算法。非跟蹤太陽最佳輻射角，旨在當太陽高度角比較低時避免太陽能電池板的遮擋問題材料對如光照、冷熱、風雨、細菌等造成的綜合破壞的耐受能力漁業養殖與光伏發電相結合，在魚塘上方架設光伏板陣列，光伏板下方水域可進行魚蝦養殖，為養魚提供良好的遮擋作用，形成“上可發電，下可養魚”的發電新模式農業種植與光伏發電相結合，棚內種植蔬菜，棚外光伏發電，所發電量除供棚內使用外，余量并入公共電網主要利用大規模太陽能電池陣列把太陽能直接轉換成直流電，通過交流配電柜、升壓變壓器和高壓開關裝置接入電網，向電網輸送光伏電量，由電網統一調配向用戶供電指位于用戶附近，所發電能就地利用，以低于 35 千伏或更低電壓等級接入電網，且單個并網點總裝機容量一般不超過 6MW 的光伏發電項目通過全數字化電站、讓電站更簡單、自動化運維等創新理念，將數字信息技術與光伏技術進行跨界融合，最終實現電站持有和運營客戶的價值最大化光伏發電系統集成商是指通過采購光伏組件、并網逆變器、支架等其它電氣設備等部件后，匹配集成后銷售給下游安裝商或投資業主。安裝商的下游客戶主要是投資業主，從其承攬業務并完成光伏系統的安裝，其所需光伏系統設備可以從光伏系統集成商購買，也可以直接從各部件制造商分別購買后組裝成完整系統。Feed-in-Tariff，是一種太陽能發電上網電價補貼政策
201 法案美國 1974 年貿易法 201-204 節，對進口至美國的產品進行全球保障措施調查，對產品進口增加是否對美國國內產業造成嚴重損害或嚴重損害威脅作出裁定制造執行系統（Manufacturing Execution System），通過信息傳遞對從訂單下達到產品完成的整個生產過程進行優化管理的系統。交流 1,000kV、直流±800kV 及以上電壓等級
超高壓交流 330kV～750kV、直流±400kV～660kV 電壓等級
高壓設計-采購-施工，一種由承包商承擔整個項目設計、采購、建設及調試過程的承包模式太陽能電池經過串聯后進行封裝保護可形成大面積的太陽能電池組件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發電裝置。這種裝置的發電功率就是裝機容量。
PIDPotential-induced degradation（潛在電勢誘導衰減），即組件長期在高電壓作用下使得玻璃、封裝材料之間存在漏電流，大量電荷聚集在電池片表面，使得電池表面的鈍化效果惡化，導致 FF、Jsc，Voc 降低，使得組件性能低于設計標準
